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湘西三极管、【天盛微电子】、湖南三极管多少钱

深圳市天盛微电子有限公司
所在地:河南 郑州
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三极管的极限参数;

(1)集电极允许电流ICM

晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不变,但当IC的数值大到一定程度时,电流放大系数β值将下降。使β明显减少的IC即为ICM。为了使三极管在放大电路中能正常工作,IC不应超过ICM。

(2)集电极允许功耗PCM

晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量,产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM,即PCM=ICUCE功耗与三极管的结温有关,结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线。手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右,锗管为70℃左右,使用时应注意不要超过此值,否则管子将损坏。

(3)反向击穿电压UBR(CEO)

反向击穿电压UBR(CEO)是指基极开路时,加在集电极与发射极之间的允许电压




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半导体放电管应用:

一、电讯及网络

用户终端设备,模拟/模拟线路卡,T1/E1设备,ISDN设备,ASDL设备,HDSL设备,总配线架保安单元,有线电话/中心局至,用户电缆线。

二、其它行业

安防(可视对讲)、监控、高频开关电源等行业




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三极管使用时需注意的问题:

按照现代的制造工艺来说,根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,由此就构成了一个晶体管。晶体管的优点就是能够放大信号,它是放大电路的核心元件,能够控制能量的转换,将输入的任何微小变化量不失真地进行放大输出。以下是我们在电路设计中使用三极管时需要注意的几个问题:

(1)需注意旁路电容对电压增益的影响:

(2)需注意三极管内部的结电容的影响:

由于半导体制造工艺的原因,三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在,当输入信号频率达到一定程度时,它们会使得三极管的放大作用“大打折扣”,更糟糕的是,它还会因此引起额外的相位差。



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