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长沙三极管_【天盛微电子】_湖南三极管售后厂家

深圳市天盛微电子有限公司
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深圳市天盛微电子有限公司一直坚守奉行:“顾客至上,追求卓越,诚信共赢,共创辉煌”这一理念!根据市场需求及经济环境,我司以珠江三角洲地区为主,面向全国,客户对我司的满意,是我司不二的追求。

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温度对三极管参数的影响;

几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响较大。

(1)对β的影响:

三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.5~1%,其结果是在相同的IB情况下,集电极电流IC随温度上升而增大。

(2)对反向饱和电流ICEO的影响:

ICEO是由少数载流子漂移运动形成的,它与环境温度关系很大,ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃,ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小,所以,温度对硅管ICEO的影响不大。

(3)对发射结电压u综上所述,随着温度的上升,β值将增大,iC也将增大,uCE将下降,这对三极管放大作用不利,使用中应采取相应的措施克服温度的影响。




我司产品广泛应用于PC电源,电源充电器、手机充电器DVD,电动车车载逆变器、笔记本电源适配器、HID灯、电焊机、电动车控制器、电子玩具、网络产品、通讯设备、防盗设备、各类仪表仪器、家用电器等领域; 公司一直坚守奉行:“顾客至上,追求卓越,诚信共赢,共创辉煌”这一理念!

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自有工厂自主研发,产品种类达8600种。



三极管的极限参数;

(1)集电极允许电流ICM

晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不变,但当IC的数值大到一定程度时,电流放大系数β值将下降。使β明显减少的IC即为ICM。为了使三极管在放大电路中能正常工作,IC不应超过ICM。

(2)集电极允许功耗PCM

晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量,产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM,即PCM=ICUCE功耗与三极管的结温有关,结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线。手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右,锗管为70℃左右,使用时应注意不要超过此值,否则管子将损坏。

(3)反向击穿电压UBR(CEO)

反向击穿电压UBR(CEO)是指基极开路时,加在集电极与发射极之间的允许电压




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三极管的主要参数极间反向饱和电流ICBO和ICEO;

(1)集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路,集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下,硅管的ICBO在nA(10-9)的量级,通常可忽略。

(2)集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时,集电极与发射极之间的反向电流,即穿透电流,穿透电流的大小受温度的影响较大,穿透电流小的管子热稳定性好。



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