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蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。

 

早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版,也广泛地被使用于减轻重量(Weight Reduction)仪器镶板,铭牌及加工法难以加工之薄形工件等的加工;经过不断改良和工艺设备发展,亦可以用于、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工,特别在半导体制程上,蚀刻更是不可或缺的技术。

 

 

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法:工程根据图形开出备料尺寸-材料-材料清洗-烘干→贴膜或涂布→烘干→→ 显影→烘干-蚀刻→脱膜→OK

 

网印法:开料→清洗板材(不锈钢其它金属材料)→丝网印→蚀刻→脱膜→OK

 

 


低成本、高可靠性、高产能及优越的蚀刻选择比。但相对于干式蚀刻,除了无法定义较细的线宽外,湿式蚀刻仍有以下的缺点:1) 需花费较高成本的反应溶液及去离子水;2) 化学处理时人员所遭遇的问题;3) 光阻附着性问题;4) 气泡形成及化学蚀刻液无法完全与晶圆表面所造成的不完全及不均匀的蚀刻;5) 废气及潜在的性。
湿式蚀刻可分为三个步骤:1) 化学蚀刻液扩散至待蚀刻材料之表面;2) 蚀刻液与待蚀刻材料发生化学反应; 3) 反应后之产物从蚀刻材料之表面扩散至溶液中,并随溶液(3)。三个步骤中进行慢者为速率控制步骤,也就是说该步骤的反应速率即为整个反应之速率。
大部份的蚀刻包含了一个或多个化学反应步骤,各种形态的反应都有可能发生,但常遇到的反应是将待蚀刻层表面先予以氧化,再将此氧化层溶解,并随溶液,如此反复进行以达到蚀刻的效果。如蚀刻硅、铝时即是利用此种化学反应。

 

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