1550nm 80mW 大功率DFB光源 单模光纤 台式封装功率可调节
¥9300.00
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ROHM940nm200mw大功率LD激光管 测量仪器/人体红外感应优选光源二极管
- ¥260.00 100 - 999
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参数
- 罗姆品牌
- JLD9420N-R1Y5型号
- TO15~5.6mm封装
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1550nm 80mW 大功率DFB光源 单模光纤 台式封装功率可调节
¥9300.00
产品详情
工作波长：940nm
输出功率：200MW
工作温度：Tc=25℃
工作电流：小于400mA
阈值电流：70mA
监控电流：80mA
工作电压: 2.1V-2.5V
工作温度: -20~ 60℃
储存温度: -40~ 80℃
封装形式: 金属
使用寿命: 10000(小时)
工作介质: 半导体激光
【用途】
（1）工业级：可用于仪器设备、医疗保健仪、鉴伪安防、舞台灯光、工具、手机、投影教学翻页笔、温测（测距）仪、扫平仪、标线仪、水平尺、室内外装饰等产品中；
（2）亚工业级：可用于美容仪、保健仪器，礼品类、消费类产品，工业级替代产品；
（3）玩具级：可用于手电筒、陀螺、消费类赠品、礼品类、玩具类等产品中
批发量大 请联系店主。欢迎广大客户咨询。 半导体光电产品：激光二极管有405nm,450NM,638NM,520NM,532NM,830nm ,850nm,650nm,780nm,808nm,
半导体激光二极管的基本结构：垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可以
激光二极管是半导体晶体的解理面，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。
半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入N区，这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合，从而发射出波长为λ的光子，其公式如下：
λ = hc/Eg ⑴
式中：h—普朗克常数； c—光速； Eg—半导体的禁带宽度。
上述由于电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时，一旦经过已发射的电子—空穴对附近，就能激励二者复合，产生新光子，这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大，则会形成和热平衡状态相反的载流子分布，即粒子数反转。当有源层内的载流子在大量反转情况下，少量自发辐射产生的光子由于谐振腔两端面往复反射而产生感应辐射，造成选频谐振正反馈，或者说对某一频率具有增益。当增益大于吸收损耗时，就可从PN结发出具有良好谱线的相干光——激光，这就是激光二极管的简单原理。
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产品参数
- 罗姆
- JLD9420N-R1Y5
- TO15~5.6mm
- 01
- 01
- 20V
- 420ma
- 2
- 375
- //
- 0.5
- -10~60°
- 测量仪器
